芯控源（AGMsemi）宣布其第三代SiC沟槽MOSFET系列产品正式进入量产阶段。该系列产品采用先进的沟槽栅极结构，导通电阻较上一代降低30%，单位面积电流密度提升25%，适用于电动汽车主驱逆变器、OBC及光伏MPPT等高效率需求场景，为客户提供更具竞争力的功率转换解决方案。
产品发布2026深圳国际电力电子展于4月12日-14日在深圳会展中心举办，芯控源携全系列IGBT、SiC MOSFET及功率模块产品亮相。展会期间，公司重点展示了针对新能源汽车和储能领域的最新解决方案，吸引了众多行业客户和专业观众的关注与洽谈。
展会活动芯控源正式通过IATF 16949:2016汽车行业质量管理体系认证。这标志着公司在汽车功率半导体领域的质量管理水平达到国际标准，具备为全球汽车产业链提供高可靠性车规级功率器件的能力。公司将持续完善质量管理体系，以零缺陷为目标，为新能源汽车市场提供值得信赖的产品。
公司荣誉芯控源公布2025年度经营业绩，全年营收同比增长45%，其中SiC相关产品收入占比首次突破35%。全年新增授权专利12项，累计专利数量突破50项。公司表示，2026年将继续加大SiC和GaN等第三代半导体的研发投入，进一步拓展海外市场布局。
公司动态芯控源近日与国内某头部新能源汽车企业签署战略合作协议，将为其下一代纯电平台提供定制化IGBT功率模块。该模块采用最新Trench-FS 7代工艺，具有低损耗、高功率密度的技术优势，预计2026年Q2开始批量供货。
合作签约芯控源发布增强隔离型栅极驱动IC系列产品，包括±4A、±6A和±10A三款驱动电流等级。新品集成米勒钳位、DESAT保护、软关断、有源箝位等完善保护功能，隔离耐压达5kVrms，符合VDE 0884-11标准，完美适配IGBT与SiC MOSFET驱动需求。
新品发布芯控源针对光伏组串式逆变器MPPT升压电路开发的高频IGBT单管系列产品，经过多家头部逆变器厂商的全面测试验证，效率与可靠性指标均达到行业领先水平。该系列产品采用高速开关技术，开关频率可达40kHz以上，助力光伏系统提升发电效率。
技术突破