产品分类 | MOSFETs | |
封装/外壳 | DFN8_3.3X3.3MM | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | Yes | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11mΩ | |
阈值电压 | 1.3V | |
连续漏极电流 | 23A | |
原始制造商 | AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 3.15 x 3.10mm | |
高度 | 0.75mm | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | -30V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 237pF | |
功率耗散 | 37W |
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