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MOSFET

Semiconductor equipment

AGM30P10AP

发布日期:2019-05-14 09:01 浏览次数:

产品分类

MOSFETs


封装/外壳

DFN8_3.3X3.3MM

零件状态

Active

是否无铅

Yes

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃(TJ)

漏源电压(Vdss)

30V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

11mΩ

阈值电压

1.3V

连续漏极电流

23A

原始制造商

AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd.

原产国家

China

长x宽/尺寸

3.15 x 3.10mm

高度

0.75mm

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

极性

P-沟道

击穿电压

-30V

栅极源极击穿电压

±20V

反向传输电容Crss

237pF

功率耗散

37W



Tel:0755-26905173